FLASH-内部读写

本篇总结

把程序烧录后剩余的内部 FLASH 空间当掉电存储器用，实现数据的擦除、写入与读取。

硬件平台：本例程基于 W55MH32L-EVB 开发板运行。

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三阶段操作流程

1. 解锁：复位后 FLASH_CR 默认上锁。向 FLASH_KEYR 依次写入 KEY1(0x45670123) 和 KEY2(0xCDEF89AB) 解锁
2. 页擦除：检查 BSY 位空闲 → 置 PER 位选页擦除 → 向 FLASH_AR 写入页地址 → 置 STRT 位开始 → 等待 BSY 清零
3. 写入数据：检查 BSY 位空闲 → 置 PG 位允许编程 → 向目标地址按 16 位写入 → 等待 BSY 清零

重要提示

FLASH 写入前必须先擦除整页，且只能将 1 写成 0，不能将 0 写成 1。每次只能按 16 位（半字）写入。写完后务必调用 FLASH_Lock() 上锁，防止误操作。

/* 写数据：从 WriteAddr 开始写入 NumToWrite 个半字 */
void WIZFLASH_Write(u32 WriteAddr, u16 *pBuffer, u16 NumToWrite)
{
    u32 secpos;      // 扇区地址
    u16 secoff;      // 扇区内偏移（半字）
    u16 secremain;   // 扇区剩余空间
    u16 i;
    u32 offaddr;     // 去掉 0x08000000 后的偏移

    if (WriteAddr < WIZ_FLASH_BASE || (WriteAddr >= (WIZ_FLASH_BASE + 1024 * WIZ_FLASH_SIZE))) return;

    FLASH_Unlock();                              // 解锁
    offaddr   = WriteAddr - WIZ_FLASH_BASE;
    secpos    = offaddr / WIZ_SECTOR_SIZE;       // 扇区号
    secoff    = (offaddr % WIZ_SECTOR_SIZE) / 2; // 扇区内偏移
    secremain = WIZ_SECTOR_SIZE / 2 - secoff;    // 扇区剩余
    if (NumToWrite <= secremain) secremain = NumToWrite;

    while (1)
    {
        /* 读出整个扇区到缓存 */
        WIZFLASH_Read(secpos * WIZ_SECTOR_SIZE + WIZ_FLASH_BASE, WIZFLASH_BUF, WIZ_SECTOR_SIZE / 2);

        /* 检查待写区域是否全为 0xFFFF（擦除态） */
        for (i = 0; i < secremain; i++)
        {
            if (WIZFLASH_BUF[secoff + i] != 0XFFFF) break;
        }

        if (i < secremain)  // 需要擦除
        {
            FLASH_ErasePage(secpos * WIZ_SECTOR_SIZE + WIZ_FLASH_BASE);
            for (i = 0; i < secremain; i++)
            {
                WIZFLASH_BUF[i + secoff] = pBuffer[i];   // 新数据替换
            }
            WIZFLASH_Write_NoCheck(secpos * WIZ_SECTOR_SIZE + WIZ_FLASH_BASE, WIZFLASH_BUF, WIZ_SECTOR_SIZE / 2);
        }
        else  // 无需擦除，直接写
        {
            WIZFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr, pBuffer, secremain);
        }

        if (NumToWrite == secremain)
            break;                              // 写完
        else                                    // 跨扇区继续
        {
            secpos++;
            secoff      = 0;
            pBuffer    += secremain;
            WriteAddr  += secremain * 2;
            NumToWrite -= secremain;
            if (NumToWrite > (WIZ_SECTOR_SIZE / 2))
                secremain = WIZ_SECTOR_SIZE / 2;
            else
                secremain = NumToWrite;
        }
    };
    FLASH_Lock();                                   // 上锁
}

/* 读数据：从 ReadAddr 读出 NumToRead 个半字 */
void WIZFLASH_Read(u32 ReadAddr, u16 *pBuffer, u16 NumToRead)
{
    u16 i;
    for (i = 0; i < NumToRead; i++)
    {
        pBuffer[i]  = WIZFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);
        ReadAddr   += 2;
    }
}

为什么写入要先读再擦

FLASH 擦除的最小单位是一整页（2KB），不能只擦几个字节。若目标地址所在页已有其他数据，直接擦除会丢失它们。所以 WIZFLASH_Write() 先把整页读到缓存，修改要写的位置后再整页写回，实现"按需修改"。

/* 要写入 FLASH 的字符串 */
const u8 TEXT_Buffer[] = {"WIZnet FLASH TEST"};
#define SIZE            sizeof(TEXT_Buffer)   // 数组长度（含结束符）
#define FLASH_SAVE_ADDR 0X08008000           // 保存地址（避开程序占用区）

int main(void)
{
    uint8_t datatemp[SIZE], i;
    RCC_ClocksTypeDef clocks;

    delay_init();
    UART_Configuration(115200);
    RCC_GetClocksFreq(&clocks);

    printf("SYSCLK: ...\n");
    printf("FLASH EEPROM Tset.\n");

    while (1)
    {
        /* 写入字符串到 FLASH */
        WIZFLASH_Write(FLASH_SAVE_ADDR, (u16 *)TEXT_Buffer, SIZE);

        /* 从 FLASH 读回 */
        WIZFLASH_Read(FLASH_SAVE_ADDR, (u16 *)datatemp, SIZE);

        /* 打印读回的数据 */
        for (i = 0; i < SIZE; i++)
        {
            printf("%s\n", datatemp);
        }

        memset(datatemp, 0x00, sizeof(datatemp));
        delay_ms(1000);   // 延时 1 秒后重复
    }
}

如果你想自定义

• 更换保存地址 → 修改 FLASH_SAVE_ADDR，必须避开程序占用区域（通过 .map 文件确认程序结束地址）
• 更换写入内容 → 修改 TEXT_Buffer 数组内容，SIZE 会自动跟随
• 调整循环周期 → 修改 delay_ms(1000) 参数

SYSCLK: 72.0Mhz, HCLK: 72.0Mhz, PCLK1: 36.0Mhz, PCLK2: 72.0Mhz, ADCCLK: 36.0Mhz

FLASH EEPROM Tset.

WIZnet FLASH TEST

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